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新闻资讯
2022-09-23
半导体晶圆制造等领域的关键设备之一
在半导体晶片制造中，由于纯硅的导电性差，需要添加少量杂质以改变其结构和导电性，从而成为有用的半导体。这个过程被称为掺杂。目前，掺杂方法主要有两种：高温热扩散法和离子注入法。离子注入占据主流地位：
高温热扩散法：将掺杂剂气体引入带有硅片的高温炉中，并将杂质扩散到硅片中的方法。由于难以控制精度和热扩散中的高热缺陷的缺点，它在当前工艺中很少使用。
离子注入方法：通过离子注入机的加速和引导，将要掺杂的离子以离子束的形式注入材料中。离子束和材料中的原子或分子发生一系列物理和化学反应，入射离子逐渐失去能量，导致材料表面的成分、结构和性质发生变化，最终停留在材料中以优化或改变材料的表面性质。离子注入具有能量和剂量精确控制、掺杂均匀性好、纯度高、温度低、不受注入材料影响等优点。
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